Bahan-bahan yang menguap seperti logam, sebatian, dan lain-lain diletakkan di dalam kuali atau digantung di kawat panas sebagai sumber penyejatan, dan substrat yang disalut seperti logam, seramik, plastik, dan lain-lain diletakkan di hadapan tukul. Selepas sistem dipam ke vakum yang tinggi, bahan tersebut disejat dengan memanaskan timah. Atom atau molekul bahan yang menguap didepositkan pada permukaan substrat dengan cara yang terkondensasi. Ketebalan filem boleh terdiri daripada beratus-ratus angstroms kepada beberapa mikron. Ketebalan filem ditentukan oleh kadar penyejatan dan masa sumber penyejatan (atau bergantung kepada jumlah caj) dan berkaitan dengan jarak antara sumber dan substrat. Untuk salutan kawasan yang luas, substrat berputar atau sumber penyejatan berganda sering digunakan untuk memastikan keseragaman ketebalan filem. Jarak dari sumber penyejatan ke substrat seharusnya kurang daripada laluan bebas muatan molekul dalam gas sisa supaya molekul wap tidak bertabrakan dengan molekul gas sisa untuk menyebabkan reaksi kimia. Tenaga kinetik purata molekul wap adalah kira-kira 0.1-0.2 voltan elektron.
Bahan-bahan yang menguap seperti logam, sebatian, dan lain-lain diletakkan di dalam kuali atau digantung di kawat panas sebagai sumber penyejatan, dan substrat yang disalut seperti logam, seramik, plastik, dan lain-lain diletakkan di hadapan tukul. Selepas sistem dipam ke vakum yang tinggi, bahan tersebut disejat dengan memanaskan timah. Atom atau molekul bahan yang menguap didepositkan pada permukaan substrat dengan cara yang terkondensasi. Ketebalan filem boleh terdiri daripada beratus-ratus angstroms kepada beberapa mikron. Ketebalan filem ditentukan oleh kadar penyejatan dan masa sumber penyejatan (atau bergantung kepada jumlah caj) dan berkaitan dengan jarak antara sumber dan substrat. Untuk salutan kawasan yang luas, substrat berputar atau sumber penyejatan berganda sering digunakan untuk memastikan keseragaman ketebalan filem. Jarak dari sumber penyejatan ke substrat seharusnya kurang daripada laluan bebas muatan molekul dalam gas sisa supaya molekul wap tidak bertabrakan dengan molekul gas sisa untuk menyebabkan reaksi kimia. Tenaga kinetik purata molekul wap adalah kira-kira 0.1-0.2 voltan elektron.
Terdapat tiga jenis sumber penyejatan. (1) Sumber pemanasan rintangan: Logam refraktori seperti tungsten atau tantalum digunakan untuk membentuk kerajang bot atau filamen, yang dipanaskan oleh arus elektrik, dipanaskan di atasnya, atau diletakkan di dalam tukul (Rajah 1 [rajah skema penyejatan peralatan salutan]). Sumbernya digunakan terutamanya untuk menguap Cd, Pb, Ag, Al, Cu, Cr, Au, Ni dan bahan lain. 2 Pemanasan Induksi Kekerapan Tinggi Sumber: Gunakan arus induksi frekuensi tinggi untuk memanaskan helium dan bahan-bahan yang menguap. 3 Pemanas rasuk elektron: Sesuai untuk bahan-bahan dengan suhu penyejatan yang tinggi (tidak kurang daripada 2000 [618-1]), iaitu membombardir bahan dengan rasuk elektron untuk menguap.